หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. บ้าน
  2. ผลิตภัณฑ์
  3. ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง
  4. ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด
  5. EPC2010C

EPC - EPC2010C

KEY Part #: K6416785

EPC2010C ราคา (USD) [25038ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.81967
  • 500 pcs$1.81062
ส่วนจำนวน:
EPC2010C
ผู้ผลิต:
EPC
คำอธิบายโดยละเอียด:
GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in EPC EPC2010C electronic components. EPC2010C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2010C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2010C คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : EPC2010C
ผู้ผลิต : EPC
ลักษณะ : GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
ชุด : eGaN®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : GaNFET (Gallium Nitride)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 22A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 3mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.3nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : +6V, -4V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 540pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die Outline (7-Solder Bar)
แพ็คเกจ / เคส : Die
คุณอาจสนใจด้วย
  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IXTY01N100

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK.

อะไหล่ร้อน