Microsemi Corporation - APT41M80B2

KEY Part #: K6396052

APT41M80B2 ราคา (USD) [5955ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$7.64880
  • 31 pcs$7.61075

ส่วนจำนวน:
APT41M80B2
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT41M80B2 electronic components. APT41M80B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT41M80B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT41M80B2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT41M80B2
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
ชุด : POWER MOS 8™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 43A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 8070pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1040W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : T-MAX™ [B2]
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3 Variant

คุณอาจสนใจด้วย