Vishay Siliconix - SI8472DB-T2-E1

KEY Part #: K6421288

SI8472DB-T2-E1 ราคา (USD) [424690ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.08709
  • 3,000 pcs$0.08227

ส่วนจำนวน:
SI8472DB-T2-E1
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 electronic components. SI8472DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8472DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8472DB-T2-E1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI8472DB-T2-E1
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 900mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 630pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 4-Micro Foot (1x1)
แพ็คเกจ / เคส : 4-UFBGA

คุณอาจสนใจด้วย