ส่วนจำนวน :
JANTX1N6631US
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
ชุด :
Military, MIL-PRF-19500/590
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
1100V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
1.4A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.6V @ 1.4A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
60ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
4µA @ 1100V
ความจุ @ Vr, F :
40pF @ 10V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D-5B
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 150°C