ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
800V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.1V @ 1A
ความเร็ว :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
5µA @ 800V
ความจุ @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
DO-204AL, DO-41, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DO-41
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 175°C