Infineon Technologies - IPC60R2K0C6X1SA1

KEY Part #: K6420927

IPC60R2K0C6X1SA1 ราคา (USD) [295186ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.12593
  • 52,137 pcs$0.12530

ส่วนจำนวน:
IPC60R2K0C6X1SA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH BARE DIE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPC60R2K0C6X1SA1 electronic components. IPC60R2K0C6X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC60R2K0C6X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC60R2K0C6X1SA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPC60R2K0C6X1SA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH BARE DIE
ชุด : *
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : -
เทคโนโลยี : -
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : -
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -
ประเภทการติดตั้ง : -
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -
แพ็คเกจ / เคส : -

คุณอาจสนใจด้วย