ส่วนจำนวน :
2SA1930,LBS2DIAQ(J
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
2A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
180V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
1V @ 100mA, 1A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
5µA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
100 @ 100mA, 5V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
200MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220NIS