Microsemi Corporation - APTM100DA33T1G

KEY Part #: K6396571

APTM100DA33T1G ราคา (USD) [3038ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$14.25361
  • 100 pcs$14.01469

ส่วนจำนวน:
APTM100DA33T1G
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100DA33T1G electronic components. APTM100DA33T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100DA33T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DA33T1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APTM100DA33T1G
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 23A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 7868pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 390W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP1
แพ็คเกจ / เคส : SP1

คุณอาจสนใจด้วย
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.