Vishay Siliconix - SIRC10DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405379

SIRC10DP-T1-GE3 ราคา (USD) [240506ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.15456
  • 3,000 pcs$0.15379

ส่วนจำนวน:
SIRC10DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 electronic components. SIRC10DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRC10DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRC10DP-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIRC10DP-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
ชุด : TrenchFET® Gen IV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : +20V, -16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1873pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Body)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 43W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8

คุณอาจสนใจด้วย