Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J112TU,LF

KEY Part #: K6421587

SSM3J112TU,LF ราคา (USD) [916337ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.04036

ส่วนจำนวน:
SSM3J112TU,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
X34 PB-F UFM S-MOS LF TRANSIST.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J112TU,LF electronic components. SSM3J112TU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J112TU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J112TU,LF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SSM3J112TU,LF
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : X34 PB-F UFM S-MOS LF TRANSIST
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.8V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 86pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 800mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : UFM
แพ็คเกจ / เคส : 3-SMD, Flat Leads

คุณอาจสนใจด้วย