Infineon Technologies - AUIRFS8409-7P

KEY Part #: K6398955

AUIRFS8409-7P ราคา (USD) [15823ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.38859
  • 10 pcs$2.13431
  • 100 pcs$1.75006
  • 500 pcs$1.41711
  • 1,000 pcs$1.19515

ส่วนจำนวน:
AUIRFS8409-7P
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - TRIACs and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFS8409-7P electronic components. AUIRFS8409-7P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFS8409-7P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFS8409-7P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : AUIRFS8409-7P
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 240A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 0.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.9V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 460nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 13975pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D2PAK (7-Lead)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

คุณอาจสนใจด้วย
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • TK3R1A04PL,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.