Microsemi Corporation - JANS1N3595US

KEY Part #: K6441508

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N3595US electronic components. JANS1N3595US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N3595US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : JANS1N3595US

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200MA DO35

ชุด : Military, MIL-S-19500-241

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภทไดโอด : Standard

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : -

ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 200mA (DC)

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 200mA

ความเร็ว : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 3µs

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1nA @ 125V

ความจุ @ Vr, F : -

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจ / เคส : SQ-MELF, B

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : B, SQ-MELF

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย

CDBDSC8650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
CDBDSC10650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
VS-8EWS10STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-8EWS10STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
MBRB10H90CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO263AB.
MBRB10H90HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.

อะไหล่ร้อน