ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
ประเภททรานซิสเตอร์ :
NPN - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
10 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
10 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500nA
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SC-59