Infineon Technologies - IRFS3307ZTRLPBF

KEY Part #: K6402940

IRFS3307ZTRLPBF ราคา (USD) [56317ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.69429
  • 800 pcs$0.60080

ส่วนจำนวน:
IRFS3307ZTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3307ZTRLPBF electronic components. IRFS3307ZTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3307ZTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3307ZTRLPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFS3307ZTRLPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 75V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 150µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4750pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 230W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D2PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย