ส่วนจำนวน :
IPU60R1K0CEAKMA2
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.5V @ 130µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
13nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
280pF @ 100V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
61W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO251-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA