Infineon Technologies - IPU60R1K0CEAKMA2

KEY Part #: K6420958

IPU60R1K0CEAKMA2 ราคา (USD) [304679ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.12140
  • 1,500 pcs$0.11137

ส่วนจำนวน:
IPU60R1K0CEAKMA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPU60R1K0CEAKMA2 electronic components. IPU60R1K0CEAKMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU60R1K0CEAKMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPU60R1K0CEAKMA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPU60R1K0CEAKMA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
ชุด : CoolMOS™ CE
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 130µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 280pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 61W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO251-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย