ส่วนจำนวน :
SIA417DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
8V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
12A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
32nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1600pF @ 4V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® SC-70-6 Single
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® SC-70-6