ส่วนจำนวน :
2SB1481(TOJS,Q,M)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PNP 4A 100V TO220-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
4A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
100V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
1.5V @ 6mA, 3A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
2µA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
2000 @ 3A, 2V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220NIS