Infineon Technologies - BSM30GP60BOSA1

KEY Part #: K6534506

BSM30GP60BOSA1 ราคา (USD) [959ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$48.38502

ส่วนจำนวน:
BSM30GP60BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSM30GP60BOSA1 electronic components. BSM30GP60BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM30GP60BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM30GP60BOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSM30GP60BOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Full Bridge
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 50A
พลังงาน - สูงสุด : 180W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 30A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 300nA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 1.6nF @ 25V
อินพุต : Three Phase Bridge Rectifier
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 125°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module