ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
250mA (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
12pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
US6