Vishay Semiconductor Diodes Division - GI910-E3/54

KEY Part #: K6447463

[1415ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    GI910-E3/54
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GI910-E3/54 electronic components. GI910-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GI910-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GI910-E3/54 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : GI910-E3/54
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 50V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.25V @ 3A
    ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 750ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 50V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจ / เคส : DO-201AD, Axial
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-201AD
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -50°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 8EWS12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 50WQ06FNTRR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.