Infineon Technologies - SPB47N10L

KEY Part #: K6409744

[176ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SPB47N10L
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies SPB47N10L electronic components. SPB47N10L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB47N10L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB47N10L คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SPB47N10L
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
    ชุด : SIPMOS®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 47A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 33A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 2mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 135nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2500pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 175W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO263-3-2
    แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    คุณอาจสนใจด้วย
    • FDD8647L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 14A DPAK.

    • FDD5353

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.

    • FQD19N10LTM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.

    • FDD8778

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • SN7002N E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.