STMicroelectronics - STY30NK90Z

KEY Part #: K6412307

[13491ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    STY30NK90Z
    ผู้ผลิต:
    STMicroelectronics
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 900V 26A MAX247.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in STMicroelectronics STY30NK90Z electronic components. STY30NK90Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STY30NK90Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STY30NK90Z คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : STY30NK90Z
    ผู้ผลิต : STMicroelectronics
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
    ชุด : SuperMESH™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 900V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 26A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 150µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 490nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 12000pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 450W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -65°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : MAX247™
    แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRLR7811WPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 64A DPAK.

    • FDD24AN06LA0_SB82179

      ON Semiconductor

      INTEGRATED CIRCUIT.

    • IRLR3105PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 25A DPAK.

    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.