ON Semiconductor - FQPF17P06

KEY Part #: K6413582

[13051ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FQPF17P06
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FQPF17P06 electronic components. FQPF17P06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF17P06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF17P06 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FQPF17P06
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F
    ชุด : QFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±25V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 900pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 39W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220F
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.