Rohm Semiconductor - RW1E014SNT2R

KEY Part #: K6421676

RW1E014SNT2R ราคา (USD) [1528127ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02676
  • 8,000 pcs$0.02663

ส่วนจำนวน:
RW1E014SNT2R
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor RW1E014SNT2R electronic components. RW1E014SNT2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1E014SNT2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RW1E014SNT2R คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RW1E014SNT2R
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.4A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 1.4nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 70pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-WEMT
แพ็คเกจ / เคส : SOT-563, SOT-666

คุณอาจสนใจด้วย