Infineon Technologies - BSP170PE6327

KEY Part #: K6413173

[13191ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BSP170PE6327
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies BSP170PE6327 electronic components. BSP170PE6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP170PE6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP170PE6327 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BSP170PE6327
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
    ชุด : SIPMOS®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.9A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 1.9A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 410pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.8W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-SOT223-4
    แพ็คเกจ / เคส : TO-261-4, TO-261AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • FQD2N80TM_WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

    • IRFR3412TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRLR024ZTRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

    • IRLR3114ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.