ON Semiconductor - FDS6679AZ

KEY Part #: K6417831

FDS6679AZ ราคา (USD) [245688ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.15055
  • 2,500 pcs$0.14509

ส่วนจำนวน:
FDS6679AZ
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDS6679AZ electronic components. FDS6679AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6679AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6679AZ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDS6679AZ
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 13A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3845pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOIC
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย