ส่วนจำนวน :
2SA1955FVATPL3Z
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
400mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
12V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
250mV @ 10mA, 200mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
300 @ 10mA, 2V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
130MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SC-101, SOT-883
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
CST3