Toshiba Semiconductor and Storage - RN1106MFV(TL3,T)

KEY Part #: K6527870

[2688ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    RN1106MFV(TL3,T)
    ผู้ผลิต:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV(TL3,T) electronic components. RN1106MFV(TL3,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1106MFV(TL3,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1106MFV(TL3,T) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : RN1106MFV(TL3,T)
    ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
    ลักษณะ : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภททรานซิสเตอร์ : NPN - Pre-Biased
    ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100mA
    แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 50V
    ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) : 4.7 kOhms
    ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) : 47 kOhms
    DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
    Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
    ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 500nA
    ความถี่ - การเปลี่ยน : -
    พลังงาน - สูงสุด : 150mW
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : SOT-723
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : VESM

    คุณอาจสนใจด้วย