Infineon Technologies - IDV20E65D1XKSA1

KEY Part #: K6442787

IDV20E65D1XKSA1 ราคา (USD) [45618ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.63969
  • 10 pcs$0.57238
  • 100 pcs$0.44620
  • 500 pcs$0.34867
  • 1,000 pcs$0.27526

ส่วนจำนวน:
IDV20E65D1XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IDV20E65D1XKSA1 electronic components. IDV20E65D1XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDV20E65D1XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDV20E65D1XKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IDV20E65D1XKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 28A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.7V @ 20A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 42ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 40µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2 Full Pack
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-2 Full Pack
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.

  • VS-8EWF10SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.

  • VS-8EWF04SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.