STMicroelectronics - STPSC8H065G-TR

KEY Part #: K6455870

STPSC8H065G-TR ราคา (USD) [51685ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.75651
  • 1,000 pcs$0.63802
  • 2,000 pcs$0.60612
  • 5,000 pcs$0.58333

ส่วนจำนวน:
STPSC8H065G-TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STPSC8H065G-TR electronic components. STPSC8H065G-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPSC8H065G-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STPSC8H065G-TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STPSC8H065G-TR
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.75V @ 8A
ความเร็ว : No Recovery Time > 500mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 0ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 80µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F : 414pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D²PAK
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • BAT43W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM