ON Semiconductor - FDMS86263P

KEY Part #: K6395265

FDMS86263P ราคา (USD) [80739ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.48671
  • 3,000 pcs$0.48429

ส่วนจำนวน:
FDMS86263P
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDMS86263P electronic components. FDMS86263P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86263P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86263P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDMS86263P
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.4A (Ta), 22A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3905pF @ 75V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-PQFN (5x6)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN