ON Semiconductor - FQD30N06LTM

KEY Part #: K6410786

[14016ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FQD30N06LTM
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FQD30N06LTM electronic components. FQD30N06LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD30N06LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD30N06LTM คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FQD30N06LTM
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    ชุด : QFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 24A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1040pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63