Vishay Siliconix - SI6967DQ-T1-E3

KEY Part #: K6523985

[3983ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI6967DQ-T1-E3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI6967DQ-T1-E3 electronic components. SI6967DQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6967DQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI6967DQ-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI6967DQ-T1-E3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 8V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 40nC @ 4.5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
    พลังงาน - สูงสุด : 1.1W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-TSSOP

    คุณอาจสนใจด้วย