ส่วนจำนวน :
2SC2235-O(T6FJT,AF
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
800mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
120V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
1V @ 50mA, 500mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
80 @ 100mA, 5V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
120MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-92MOD