ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
ประเภททรานซิสเตอร์ :
PNP - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
4.7 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
4.7 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
20 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยน :
200MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-92-3