ส่วนจำนวน :
MSM5118160F-60T3K-MT
ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
DRAM
ขนาดหน่วยความจำ :
16Mb (1M x 16)
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
4.5V ~ 5.5V
อุณหภูมิในการทำงาน :
0°C ~ 70°C (TA)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
-