ส่วนจำนวน :
RN1113ACT(TPL3)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
ประเภททรานซิสเตอร์ :
NPN - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
80mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
-
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
150mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SC-101, SOT-883
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
CST3