ลักษณะ :
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
ชุด :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
175V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
150A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
233nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
14600pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
880W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247AD (IXFH)