Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-15ETU12-N3

KEY Part #: K6440344

[3851ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    VS-15ETU12-N3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-15ETU12-N3 electronic components. VS-15ETU12-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-15ETU12-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-15ETU12-N3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : VS-15ETU12-N3
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
    ชุด : FRED Pt®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 15A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 2.78V @ 15A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 167ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 80µA @ 1200V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AC
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IDB30E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

    • IDB30E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

    • ES2AHM3/5BT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

    • EGP20B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

    • 1N4585GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

    • GP15M-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM