Toshiba Semiconductor and Storage - TK39J60W5,S1VQ

KEY Part #: K6395254

TK39J60W5,S1VQ ราคา (USD) [8463ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.35891
  • 25 pcs$4.39255
  • 100 pcs$3.96396
  • 500 pcs$3.32116

ส่วนจำนวน:
TK39J60W5,S1VQ
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5,S1VQ electronic components. TK39J60W5,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK39J60W5,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK39J60W5,S1VQ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK39J60W5,S1VQ
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
ชุด : DTMOSIV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 38.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.7V @ 1.9mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4100pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : Super Junction
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 270W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-3P(N)
แพ็คเกจ / เคส : TO-3P-3, SC-65-3