Rohm Semiconductor - ES6U42T2R

KEY Part #: K6421318

ES6U42T2R ราคา (USD) [445106ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.08351
  • 8,000 pcs$0.08310

ส่วนจำนวน:
ES6U42T2R
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor ES6U42T2R electronic components. ES6U42T2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES6U42T2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES6U42T2R คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : ES6U42T2R
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 2.1nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 150pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Body)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-WEMT
แพ็คเกจ / เคส : SOT-563, SOT-666

คุณอาจสนใจด้วย