ON Semiconductor - FDC6392S

KEY Part #: K6397447

FDC6392S ราคา (USD) [397472ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09352
  • 3,000 pcs$0.09306

ส่วนจำนวน:
FDC6392S
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDC6392S electronic components. FDC6392S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC6392S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6392S คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDC6392S
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.2nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 369pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Isolated)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 960mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SuperSOT™-6
แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

คุณอาจสนใจด้วย
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.