ส่วนจำนวน :
RN2104MFV,L3F
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM
ประเภททรานซิสเตอร์ :
PNP - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
47 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน :
250MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
VESM