Toshiba Semiconductor and Storage - RN2313(TE85L,F)

KEY Part #: K6527866

RN2313(TE85L,F) ราคา (USD) [7551ชิ้นสต็อก]

  • 3,000 pcs$0.01910
  • 6,000 pcs$0.01661
  • 15,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 75,000 pcs$0.01246
  • 150,000 pcs$0.01107

ส่วนจำนวน:
RN2313(TE85L,F)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2313(TE85L,F) electronic components. RN2313(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2313(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2313(TE85L,F) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RN2313(TE85L,F)
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภททรานซิสเตอร์ : PNP - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) : 47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) : -
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยน : 200MHz
พลังงาน - สูงสุด : 100mW
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SC-70, SOT-323
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : USM

คุณอาจสนใจด้วย