Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10MHM3_A/H

KEY Part #: K6439761

BYG10MHM3_A/H ราคา (USD) [591495ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06253
  • 12,600 pcs$0.05438

ส่วนจำนวน:
BYG10MHM3_A/H
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V AVAL AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10MHM3_A/H electronic components. BYG10MHM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10MHM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10MHM3_A/H คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BYG10MHM3_A/H
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Avalanche
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1000V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1.5A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.15V @ 1.5A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 4µs
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 1000V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AC, SMA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG24D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG10K-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG23M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD