IXYS - IXTC26N50P

KEY Part #: K6410099

[53ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IXTC26N50P
    ผู้ผลิต:
    IXYS
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in IXYS IXTC26N50P electronic components. IXTC26N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTC26N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTC26N50P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IXTC26N50P
    ผู้ผลิต : IXYS
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
    ชุด : PolarHV™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3600pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 130W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ISOPLUS220™
    แพ็คเกจ / เคส : ISOPLUS220™

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.