Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB

KEY Part #: K6522017

SP8M51FRATB ราคา (USD) [134137ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.27574

ส่วนจำนวน:
SP8M51FRATB
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
4V DRIVE NCHPCH MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor SP8M51FRATB electronic components. SP8M51FRATB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8M51FRATB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8M51FRATB คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SP8M51FRATB
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : 4V DRIVE NCHPCH MOSFET
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOP

คุณอาจสนใจด้วย