ส่วนจำนวน :
RGTH80TS65GC11
ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
70A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
160A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 40A
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
34ns/120ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 40A, 10 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247N