Texas Instruments - CSD17510Q5A

KEY Part #: K6420373

CSD17510Q5A ราคา (USD) [189141ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.19555
  • 2,500 pcs$0.18881

ส่วนจำนวน:
CSD17510Q5A
ผู้ผลิต:
Texas Instruments
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Texas Instruments CSD17510Q5A electronic components. CSD17510Q5A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17510Q5A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17510Q5A คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CSD17510Q5A
ผู้ผลิต : Texas Instruments
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
ชุด : NexFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Ta), 100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.3nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1250pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-VSONP (5x6)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย