Panasonic Electronic Components - MTM232270LBF

KEY Part #: K6418868

MTM232270LBF ราคา (USD) [868834ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.04573
  • 3,000 pcs$0.04550

ส่วนจำนวน:
MTM232270LBF
ผู้ผลิต:
Panasonic Electronic Components
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Panasonic Electronic Components MTM232270LBF electronic components. MTM232270LBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MTM232270LBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MTM232270LBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : MTM232270LBF
ผู้ผลิต : Panasonic Electronic Components
ลักษณะ : MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.3V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 290pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SMini3-G1-B
แพ็คเกจ / เคส : SC-70, SOT-323

คุณอาจสนใจด้วย
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.